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“AON6512 AOS代理AON6382 AON6504”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 认证： | ISO9001 |
| 品牌： | UBIQ | 类型： | 耗尽型MOS管(N沟道) |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | 封装外形： | CHIP/小型片状 |
| 用途： | L/功率放大 | 导电方式： | 增强型 |
| 型号： | QN3109M6N | 规格： | 30V 150A |
| 商标： | UBIQ | 包装： | 3000PCS/盘 |
| Coss： | 1327 | 封装： | DFN5X6 |
| Crss： | 175 | VSPIKE： | 36V |
| RDS(ON) (at VGS = 4.5V)： | 2.4mΩ | RDS(ON) (at VGS=10V)： | 1.7mΩ |
| VDS (V)： | 30V | Ciss： | 3430 |
| VGS： | ±20 | ID (at VGS=10V)： | 150A |
“AON6512 AOS代理AON6382 AON6504”详细介绍
标准包装 3,000
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -
其它名称 785-1366-2
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET (Metal Oxide)
漏源极电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 54A（Ta），150A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.7 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 64nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 3430pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 7.4W (Ta), 83W (Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerSMD，扁平引线
供应商器件封装 8-DFN（5x6）
