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“仙童FDV303N”参数说明
| 类型： | 分离式半导体 | 封装形式： | 表面封装 |
| 管脚引出方式： | 共阴 | 型号： | FDV303N |
| 商标： | 仙童 | 包装： | SOT-23 |
“仙童FDV303N”详细介绍
标准包装：3,000
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：680mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：450 毫欧 @ 500mA，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：2.3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：50pF @ 10V
功率 - 最大：350mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：SOT-23
包装：带卷 (TR)
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：680mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：450 毫欧 @ 500mA，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：2.3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：50pF @ 10V
功率 - 最大：350mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：SOT-23
包装：带卷 (TR)
